1. CUIR at Chulalongkorn University

Browsing by Subject การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
ก ข ฃ ค ฅ ฆ ง จ ฉ ช ซ ฌ ญ ฎ ฏ ฐ ฑ ฒ ณ ด ต ถ ท ธ น บ ป ผ ฝ พ ฟ ภ ม ย ร ฤ ล ฦ ว ศ ษ ส ห ฬ อ ฮ
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 18 of 18
Issue DateTitleAuthor(s)
2014EFFECT OF GROWTH PARAMETERS ON STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF GALLIUM ANTIMONIDE NANOSTRUCTURES GROWN BY DROPLET EPITAXYMaetee Kunrugsa
2012Effects of annealing process on film surfaces grown by molecular beam epitaxy growth model with arrhenius lawSomjintana Potepanit
2010The Fabrication of InGaAs ring-like nanostructures by droplet molecular beam epitaxyNaraporn Pankaow
2006Growth and characterisation of ordered indium arsenide quantum dots on cross-hatch virtual substrateCho Cho Thet
2010Growth and characterization of high quality CuInSe₂ epitaxial thin films on GaAs substratesBancha Arthibenyakul
2015InAs quantum dot molecules on nanohole/cross-hatch pattern templatesNitas Nakareseisoon
2010Monte carlo simulations of step flow in molecular beam epitaxy grown surfacesJindarat Yaemwong
2014RELIABLE SYNTHESIS AND MANIPULATION OF SELF-RUNNING GALLIUM DROPLETS ON GALLIUM ARSENIDE (001) IN MBEBeni Adi Trisna
2554การประดิษฐ์นาโนโฮลจาก In₀.₁₅Ga₀.₈₅As บนแผ่นผลึกฐาน GaAs ด้วยวิธีดรอปเพลทอิพิแทกซีที่ใช้การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลสมชัย รัตนธรรมพันธ์
2548การปลูกควอนตัมดอตโมเลกุลและการประยุกต์ใช้ในเซลล์แสงอาทิตย์ศิริชัย เรืองเดช
2545การปลูกชั้นอิพิแทกซีอินเดียมอาร์เซไนด์บนแผ่นฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์โดยวิธีปลูกผลึกจากลำโมเลกุลไมตรี ไพศาลภาณุมาศ, 2521-
2547การปลูกผลึก InAs บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลสมชัย รัตนธรรมพันธ์; ชุมพล อันตรเสน
2550การปลูกผลึก InP ที่มีการเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลที่ใช้ GaP เป็นจ่ายฟอสฟอรัสสมชัย รัตนธรรมพันธ์; ชุมพล อันตรเสน
2544การปลูกผลึก InP บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลสมชัย รัตนธรรมพันธ์; ชุมพล อันตรเสน
2550การปลูกผลึกอิพิแทกซี InGaAs (E[subscript g] [is approximately equal to] 0.75 eV) บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลสมชัย รัตนธรรมพันธ์
2554การปลูกและวัดลักษณะสมบัติของอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมคอตที่ซ้อนทับกันบนแผ่นฐานลายตารางเฉลิมชัย ฮิมวาส
2554การเปล่งแสงจากอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอตโมเลกุลนิรัตน์ พัฒนเสมากุล
2556สมบัติโพลาไรซ์โฟโตลูมิเนสเซนซ์ของอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอตบนพื้นผิวลายตารางที่ปลูกซ้อนทับหลายชั้นฐิติพงษ์ โชคอำนวย
Showing results 1 to 18 of 18