Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/29459
Title: การศึกษาลักษณะสมบัติของอะมอร์ฟัสซิลิคอน และการประยุกต์ใช้งานออปโตอิเล็กทรอนิกส์
Other Titles: Characterization of amorphoua silicon and its applications to optoelectronic devices
Authors: ภาวัน สยามชัย
Advisors: ดุสิต เครืองาม
Other author: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. บัณฑิตวิทยาลัย
Issue Date: 2535
Publisher: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
Abstract: ได้มีการศึกษาอย่าง เป็นระบบเกี่ยวกับการผลิตและคุณสมบัติพื้นฐานของฟิล์มบางอะมอร์พัสซิลิคอน (amorphous silicon ย่อว่า a-Si;H) คุณสมบัติทางด้านโครงสร้างเช่น จำนวนแขนขาดของ a-Si:H ตรวจสอบด้วยวิธี ESR ( Electron Spin Resonance ) และนำผลไปเปรียบ เทียบกับ คุณสมบัติการนำไฟฟ้าด้วยแสง พบว่าเงื่อนไขการผลิตที่จะได้ฟิล์มที่มีคุณสมบัติดีที่สุด กล่าวคือจำนวนแขน ขาดน้อยที่สุดคือ อุณหภูมิของแผ่นฐานประมาณ 250 °ซ และใช้ RF power ประมาณ 40 วัตต์ ได้มีการทดลองผลิต a-Si :H เป็นเซลส์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบาง ด้วยโครงสร้างรอยต่อชนิด p-i-n บนแผ่นฐานแก้ว และตรวจสอบคุณสมบัติพื้นฐานของเซลล์แสงอาทิตย์ที่ผลิตได้ ด้วยการวัดสเปกตรัม ผลตอบสนองทางแสง และศักย์ไฟฟ้าภายใน (built-in potential) ต่อจากนั้นได้ทำการปรับปรุง ประสิทธิภาพของเซลล์ให้ดีขึ้น ด้วยการหาค่าความหนาที่เหมาะสมของรอยต่อแต่ละชั้น และออกแบบให้ชั้น p ทำจากวัสดุอะมอร์พัสซิลิคอนคาร์ไบด์ซึ่งมีขนาดช่องว่างพลังงานกว้างกว่าชั้น i ผลการปรับปรุงได้ เซลล์แสงอาทิตย์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดเท่ากับ 6.67% ในการนำเซลล์ฯไปใช้งาน ได้ทดลองออกแบบและผลิตเซลล์ฯ ให้มีโครงสร้างเป็นวงจรรวม (Integrated Type) โดยได้ผลิตโมดูลที่มีเซลล์ย่อย 12 ตัว ต่ออนุกรมกันบนแผ่นฐานแก้วเดียวกัน และ ได้นำโมดูล 3 ตัวมาต่ออนุกรมกันเป็นแผงใหญ่ เพื่อนำไปใช้งานชาร์จแบตเตอรี่ขนาด 12 โวลต์ได้สำเร็จ นอกจากนี้ ได้มีการศึกษาการประยุกต์ใช้ฟิล์มบางอะมอร์ฟัสซิลิคอน ในการผลิตเป็นเซนเซอร์ แบบฟิล์มบางตรวจวัดสีของแสง และมีการสร้างวงจรเพื่อประมวลผลตอบจากเซนเซอร์ และนำเอาระบบทั้งชุดไปทดลองใช้งาน ได้ผลว่าเซนเซอร์สามารถบอกสีของแสงอินพุทได้อย่างถูกต้องว่าเป็นสีอะไรในช่วง visible เช่น สีแดง สีเหลือง สีเขียว และ สีน้ำเงิน
Other Abstract: A series of systematic study has been done on the fabrication technology and basic properties of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin film. The structural property of a-Si:H has been examined by ESR (Electron Spin Resonance) method. The result showed that a-Si:H prepared at a substrate temperature of about 250 °c and RF power of 40 watts contains the lowest dangling bond density. This is consistent with the result from the photoconductivity measurement. The a-Si:H film was applied to a low cost thin film solar cell having a structure of a-Si:H p-i-n junction on a glass substrate. Basic device physics of a-Si:H solar cell such as spectrum response and built-in potential has also been studied. Further effort has been made to improvement of the efficiency of a-Si:H solar cell by optimization of p-i-n layer thickness and employing a wide gap p a-SiC:H as a window layer. The highest conversion efficiency obtained so far is 6.67%. An integrated-type a-Si:H solar cell consisting of 12 subcells connected in series was designed and fabricated on a common glass substrate. A 12 V-battery charger was realized by connecting 3 glass substrates in series. A further effort has been made to apply a-Si:H to a thin film visible color sensor. With the data processing circuit, the sensor can distinguish the color of the light in the visible region such as red, yellow, green, and blue.
Description: วิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2535
Degree Name: วิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิต
Degree Level: ปริญญาโท
Degree Discipline: วิศวกรรมไฟฟ้า
URI: http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/29459
ISBN: 9745816876
Type: Thesis
Appears in Collections:Grad - Theses

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Pavan_si_front.pdf10.35 MBAdobe PDFView/Open
Pavan_si_ch1.pdf2.72 MBAdobe PDFView/Open
Pavan_si_ch2.pdf5.34 MBAdobe PDFView/Open
Pavan_si_ch3.pdf14.94 MBAdobe PDFView/Open
Pavan_si_ch4.pdf11.65 MBAdobe PDFView/Open
Pavan_si_ch5.pdf14.87 MBAdobe PDFView/Open
Pavan_si_ch6.pdf16.48 MBAdobe PDFView/Open
Pavan_si_ch7.pdf10.41 MBAdobe PDFView/Open
Pavan_si_ch8.pdf1.88 MBAdobe PDFView/Open
Pavan_si_back.pdf6.87 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.