การปลูกผลึก InP ที่มีการเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลที่ใช้ GaP เป็นจ่ายฟอสฟอรัส

Abstract

โครงการวิจัยนี้ได้ทำการวิจัยการปลูกผลึกอิพิแทกซี InP ที่การเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยการปลูกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล โดยใช้แหล่งจ่ายฟอสฟอรัสจากการสลายตัวของ GaP ที่อยู่ในรูปโพลีคริสตอลไลน์ ซึ่งคุณภาพผิวหน้าของผลึกที่ได้มีลักษณะเรียบมันเงา โดยอิทธิพลของอุณหภูมิแหล่งจ่าย Si ที่ใช้ในการปลูกผลึกมีผลต่อคุณสมบัติทางไฟฟ้าของชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ที่มีการเจือปน Si มีคุณสมบัติเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นและแสดงค่าความเข้มข้นพาหะนำไฟฟ้ามีค่าอยู่ในช่วง 1x10[superscript 17]-8.5x10[superscript 18] cm[superscript -3] และมีค่าความคล่องตัวพาหะอยู่ในช่วง 298-1,987 cm[superscript 2]/V-s จากการวัดด้วยวิธี van der PAUW ที่อุณหภูมิห้อง จากผลที่ได้ในงานวิจัยนี้ชี้ให้เห็นว่าคุณสมบัติของชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ที่มีการเจือปนขึ้นกับปริมาณของ Si ที่เจือปนในขณะที่ทำการปลูกผลึก