Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/21060
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorทรงพล กาญจนชูชัย-
dc.contributor.advisorอนุรัตน์ วิศิษฎ์สรอรรถ-
dc.contributor.authorสุขุม พิทยาพิบูลพงศ์-
dc.contributor.otherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์-
dc.date.accessioned2012-07-21T04:07:50Z-
dc.date.available2012-07-21T04:07:50Z-
dc.date.issued2553-
dc.identifier.urihttp://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/21060-
dc.descriptionวิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2553en
dc.description.abstractโครงสร้างนาโน ZnO ได้ถูกเตรียมลงบนแผ่นฐาน Si โดยเทคนิคการขนถ่ายเฟสไอโดยใช้สารตั้งต้นเป็นสารผสม ZnO/CNTs กระบวนการนี้สามารถทำได้ที่อุณหภูมิต่ำกว่าจุดหลอมเหลวของ ZnO สัณฐานของผิวหน้า องค์ประกอบทางเคมีและโครงสร้างของผลึกได้ถูกตรวจสอบ และวัดโดยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด (SEM) การวิเคราะห์ธาตุเชิงพลังงาน (EDS) และการทดลองการเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ (XRD) ตามลำดับ สมบัติทางแสงและทางไฟฟ้าได้ถูกศึกษาโดยเทคนิคโฟโตลูมิเนสเซนต์ (PL) และการวัดลักษณะสมบัติกระแส-แรงดัน ผลกระทบจากสารตั้งต้น ตำแหน่งของแผ่นฐาน ปริมาณของออกซิเจนและความชื้นในการก่อตัวของโครงสร้างนาโน ZnO ได้ถูกศึกษาและพบว่า โครงสร้างนาโน ZnO ที่ได้ขึ้นกับนิวเคลียสที่เกิดจากไอระเหย Zn และ ZnOx ซึ่งเกิดจากปฏิกิริยา ZnO/CNTs โดยนิวเคลียสที่ก่อตัวเป็น Tetrapod สามารถเกิดขึ้นได้ง่ายที่สุดเนื่องจากสามารถพบได้ในทุกตำแหน่งของแผ่นฐานในท่อควอตซ์ ยิ่งไปกว่านั้น การทดลองได้พบว่า ปริมาณของออกซิเจนและความชื้นมีบทบาทสำคัญต่อความเร็วในการก่อตัวในทิศทาง [0001] ค่ายอดของการเปล่งแสงที่ได้จากชิ้นงานที่ความยาวคลื่น 420, 490 และ 530 นาโนเมตร บ่งชี้ถึงปริมาณออกซิเจนที่เพิ่มขึ้นส่งผลให้เกิดจุดบกพร่องของโครงสร้างแบบการแทรกตัว และการแทนที่ตำแหน่งของอะตอมอื่นโดยอะตอมออกซิเจน สุดท้ายการวิเคราะห์โดยใช้แบบจำลองกลไกการจำกัดกระแสบ่งชี้ว่า ปริมาณออกซิเจนและความชื้นมีผลต่อปริมาณกับดักชนิดเดี่ยวen
dc.description.abstractalternativeZnO nanostructures were deposited on silicon substrate by vapor phase transport technique using ZnO/CNTs mixture as a source material. This process can be done below the melting point of ZnO. The surface morphology, chemical composition and crystal structure were characterized by scanning electron microscope (SEM), energy dispersive x-ray spectroscopy (EDX) and x-ray diffraction (XRD), respectively. The optical and electrical properties were studied by photoluminescence (PL) and current-voltage measurement. The effects of source material, substrate position, oxygen content and humidity on the formation of ZnO nanostructures had been investigated. It was found that ZnO nanostructures considerably depend on nucleation of Zn from ZnOx vapor generated from ZnO/CNTs reaction. The nuclei for Tetrapod formation could be most easily formed because they were seen in every substrate’s position in the quartz tube. In addition, the oxygen content and humidity were found to play important role on growth velocity in [0001] direction. Optical luminescence peaks at 420, 490 and 530 nm from samples indicated that oxygen increased structural defects including oxygen interstitial and antisite. Finally, analysis based on space-charge limited current model suggested that oxygen content and humidity notably affected the single trap concentration.en
dc.format.extent2709907 bytes-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isothes
dc.publisherจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
dc.relation.urihttp://doi.org/10.14457/CU.the.2010.107-
dc.rightsจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
dc.subjectสังกะสีออกไซด์en
dc.subjectโครงสร้างนาโนen
dc.titleการวัดลักษณะสมบัติของโครงสร้างนาโน ZnO ที่เตรียมโดยกระบวนการขนถ่ายเฟสไอโดยใช้สารผสม ZnO/CNTsen
dc.title.alternativeCharacterization of ZnO nanostructures prepared by vapor phase transport using ZnO/CNTs mixtureen
dc.typeThesises
dc.degree.nameวิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิตes
dc.degree.levelปริญญาโทes
dc.degree.disciplineวิศวกรรมไฟฟ้าes
dc.degree.grantorจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัยen
dc.email.advisorSongphol.K@Chula.ac.th-
dc.email.advisorAnurat.W@chula.ac.th-
dc.identifier.DOI10.14457/CU.the.2010.107-
Appears in Collections:Eng - Theses

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Sukum_pi.pdf2.65 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.