การปลูกผลึก InP ที่มีการเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลที่ใช้ GaP เป็นจ่ายฟอสฟอรัส

สมชัย รัตนธรรมพันธ์; ชุมพล อันตรเสน

Please use this identifier to cite or link to this item: https://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/8713

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	สมชัย รัตนธรรมพันธ์	-
dc.contributor.author	ชุมพล อันตรเสน	-
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์	-
dc.contributor.other	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์	-
dc.date.accessioned	2009-01-22T02:53:45Z	-
dc.date.available	2009-01-22T02:53:45Z	-
dc.date.issued	2550	-
dc.identifier.uri	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/8713	-
dc.description.abstract	โครงการวิจัยนี้ได้ทำการวิจัยการปลูกผลึกอิพิแทกซี InP ที่การเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยการปลูกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล โดยใช้แหล่งจ่ายฟอสฟอรัสจากการสลายตัวของ GaP ที่อยู่ในรูปโพลีคริสตอลไลน์ ซึ่งคุณภาพผิวหน้าของผลึกที่ได้มีลักษณะเรียบมันเงา โดยอิทธิพลของอุณหภูมิแหล่งจ่าย Si ที่ใช้ในการปลูกผลึกมีผลต่อคุณสมบัติทางไฟฟ้าของชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ที่มีการเจือปน Si มีคุณสมบัติเป็นสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นและแสดงค่าความเข้มข้นพาหะนำไฟฟ้ามีค่าอยู่ในช่วง 1x10[superscript 17]-8.5x10[superscript 18] cm[superscript -3] และมีค่าความคล่องตัวพาหะอยู่ในช่วง 298-1,987 cm[superscript 2]/V-s จากการวัดด้วยวิธี van der PAUW ที่อุณหภูมิห้อง จากผลที่ได้ในงานวิจัยนี้ชี้ให้เห็นว่าคุณสมบัติของชั้นผลึกอิพิแทกซี InP ที่มีการเจือปนขึ้นกับปริมาณของ Si ที่เจือปนในขณะที่ทำการปลูกผลึก	en
dc.description.abstractalternative	In this work, the growth of Si-doped InP epi- layers on (100) GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE) using polycrystalline gallium phosphide (GaP) as a phosphorus source was investigated. The high quality Si-doped InP epi-layers on (100) GaAs substrates with specular surface morphology could be obtained. The effect of Si doping concentration on the properties of InP epi-layers were studied. The Si-doped InP epilayers showed n-type conduction behavior with carrier concentration of 10x10[superscript 17]-8.5x10[superscript 18] cm[superscript -3] and mobility of 298-1,987 cm[superscript 2]/V-s. Both were measured by van der PAUW method at room temperature. The results showed a strong dependence of growth quality of Si doping conditions.	en
dc.description.sponsorship	ทุนวิจัยกองทุนรัชดาภิเษกสมโภช	en
dc.format.extent	6908357 bytes	-
dc.format.mimetype	application/pdf	-
dc.language.iso	th	es
dc.publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.rights	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย	en
dc.subject	การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล	-
dc.subject	สารกึ่งตัวนำ	-
dc.title	การปลูกผลึก InP ที่มีการเจือปน Si บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น (100) GaAs ด้วยวิธีการปลูกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลที่ใช้ GaP เป็นจ่ายฟอสฟอรัส	en
dc.title.alternative	The growth of si-droped InP on (100) GaAs substrates by molecular beam epitaxy using a GaP decomposition source	en
dc.type	Technical Report	es
dc.email.author	Somchai.R@chula.ac.th	-
dc.email.author	Choompol.A@chula.ac.th	-
Appears in Collections:	Eng - Research Reports

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Somchai_gro.pdf		6.75 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record